1N5819RL技术参数详情：
1N5819RL是ST意法半导体生产的一款1A、40V肖特基整流二极管，采用DO-41轴向封装。其核心优势在于利用肖特基势垒技术，实现了极低的正向压降（典型值550mV @ 1A）和快速的开关特性（恢复时间<500ns），这能显著降低导通损耗和开关损耗，提升电源系统的整体效率。
该器件适用于要求高效率和高开关频率的场合，例如开关电源（SMPS）的次级整流、DC-DC转换器以及极性保护电路。其40V的反向耐压和1A的整流电流能力，使其成为低压、中电流应用场景中替代传统快恢复二极管的理想选择，有助于优化热管理和电源密度。
- 型号:1N5819RL
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DO-41
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
- 描述:DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO41
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 技术:肖特基
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:40 V
- 电流 - 平均整流 (Io):1A
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 1 A
- 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
- 反向恢复时间 (trr):-
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 A @ 40 V
- 不同Vr、F 时电容:-
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向
- 供应商器件封装:DO-41
- 工作温度 - 结:150°C（最大）
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