2N3019技术参数详情：
2N3019是ST意法半导体生产的一款NPN双极性晶体管，采用TO-39金属罐封装。其核心电气参数包括80V的集射极击穿电压和1A的最大集电极电流，能够满足中压、中电流应用场景的需求。
该器件在开关应用中表现出色，其Vce饱和压降典型值仅为500mV（@500mA），有助于降低导通状态下的功率损耗。同时，其直流电流增益（hFE）最小值达到100（@150mA， 10V），提供了有效的电流放大能力。100MHz的过渡频率使其适用于中频信号放大和处理电路。
- 型号:2N3019
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-39
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
- 描述:TRANS NPN 80V 1A TO-39
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 晶体管类型:NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:1 A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:80 V
- 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:500mV @ 50mA，500mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO）
- 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:100 @ 150mA，10V
- 功率 - 最大值:800 mW
- 频率 - 跃迁:100MHz
- 工作温度:175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-205AD，TO-39-3 金属罐
- 供应商器件封装:TO-39
- 现在可以订购2N3019，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
