2N5195技术参数详情：
2N5195是ST意法半导体生产的一款PNP型功率双极性晶体管，采用TO-225AA（TO-126）通孔封装。其核心电气参数包括80V的集电极-发射极击穿电压和4A的最大连续集电极电流，能够胜任中功率级的开关与放大任务。
该器件在导通状态下的典型饱和压降较低（最大1.2V @ 1A, 4A），有助于减少导通损耗。其直流电流增益（hFE）最小值为20 @ 1.5A, 2V，提供了基本的电流驱动能力。最大功耗为40W，最高结温可达150°C，确保了在适当散热条件下的功率处理可靠性。其2MHz的过渡频率标明了其适用的工作频率范围。
- 型号:2N5195
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:SOT-32-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
- 描述:TRANS PNP 80V 4A SOT-32-3
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 晶体管类型:PNP
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:4 A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:80 V
- 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:1.2V @ 1A，4A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA
- 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:20 @ 1.5A，2V
- 功率 - 最大值:40 W
- 频率 - 跃迁:2MHz
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3
- 供应商器件封装:SOT-32-3
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