2N7000技术参数详情：
2N7000是ST意法半导体生产的一款N沟道MOSFET，采用TO-92-3通孔封装，隶属于STripFET产品系列。该器件核心参数包括60V的漏源电压（Vdss）和350mA的连续漏极电流（Id），适用于中低功率的开关应用。
其关键优势在于出色的逻辑电平兼容性，栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，可被标准的5V逻辑信号直接驱动，无需额外的电平移位电路。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）表现良好，同时极低的栅极电荷（Qg，最大2nC）确保了快速的开关响应和较低的动态损耗。
综合其电气特性，2N7000为设计者提供了一个在宽温范围（-55°C至150°C）内可靠、高效的电压控制型开关解决方案，尤其适合对驱动简便性和开关效率有要求的场景。
- 型号:2N7000
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-92-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):350mA（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±18V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:43 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:1W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-92-3
- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
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