2STR1160技术参数详情：
2STR1160是ST意法半导体生产的一款NPN双极性晶体管，采用SOT-23-3表面贴装封装。其核心电气参数包括60V的集射极击穿电压和1A的集电极电流容量，适用于中压范围的开关与放大电路。
该器件具备高直流电流增益（hFE最小值180 @ 500mA, 2V）和低饱和压降（Vce(sat)最大430mV @ 100mA, 1A），这确保了高效的信号放大能力和较低的开关导通损耗。最大功耗500mW和150°C的结温工作范围，为其在紧凑空间内的可靠运行提供了保障。
- 型号:2STR1160
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:SOT-23-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
- 描述:TRANS NPN 60V 1A SOT-23-3
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 晶体管类型:NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:1 A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:60 V
- 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:430mV @ 100mA，1A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）
- 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:180 @ 500mA，2V
- 功率 - 最大值:500 mW
- 频率 - 跃迁:-
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装:SOT-23-3
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