A1P25S12M3-F技术参数详情：
A1P25S12M3-F是ST意法半导体推出的一款紧凑型IGBT功率模块，隶属于ACEPACK 1系列。该模块集成了一个完整的三相反相器桥臂，包含六个采用沟槽型场截止技术的IGBT及续流二极管，额定电压为1200V，额定电流为25A，最大功耗197W。
其核心优势在于高集成度与高效率。模块具有低至2.45V @ 25A的导通压降，有助于降低开关损耗。内置的NTC热敏电阻支持直接温度监控，增强了系统保护能力。标准输入电平与底座安装封装设计，简化了系统集成与散热管理，适用于对空间和效率有较高要求的工业功率转换应用。
- 型号:A1P25S12M3-F
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:ACEPACK 1
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
- 描述:IGBT MODULE 1200V 25A ACEPACK 1
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 配置:三相反相器
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:25 A
- 功率 - 最大值:197 W
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.45V @ 15V，25A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:100 A
- 不同Vce 时输入电容 (Cies):1.55 nF @ 25 V
- 输入:标准
- NTC 热敏电阻:是
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:模块
- 供应商器件封装:ACEPACK 1
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