A1P25S12M3技术参数详情：
A1P25S12M3是ST意法半导体推出的一款1200V/25A IGBT功率模块，采用ACEPACK1封装。模块内部集成了基于沟槽型场截止技术的三相逆变桥，最大功耗197W，并提供集成的NTC热敏电阻用于温度监控。
其关键电气特性表现为优异的导通性能，在25A工作电流下，饱和压降仅为2.45V，有助于降低导通损耗，提升系统效率。宽泛的工作结温范围（-40°C ~ 150°C）与1200V的高耐压等级，使其能够可靠地应用于工业级三相交流驱动场景。
- 型号:A1P25S12M3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:ACEPACK 1
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
- 描述:IGBT MODULE 1200V 25A ACEPACK 1
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 配置:三相反相器
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:25 A
- 功率 - 最大值:197 W
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.45V @ 15V，25A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:100 A
- 不同Vce 时输入电容 (Cies):1.55 nF @ 25 V
- 输入:标准
- NTC 热敏电阻:是
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:模块
- 供应商器件封装:ACEPACK 1
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