A1P35S12M3-F技术参数详情：
A1P35S12M3-F是ST意法半导体推出的一款采用ACEPACK1封装的三相IGBT功率模块。该模块集成了六个采用先进沟槽型场截止技术的IGBT及续流二极管，构成一个完整的1200V/35A三相反相器桥臂，最大功耗为250W。
其核心优势在于优异的电气性能与高集成度。在35A额定电流下，饱和压降Vce(on)最大值仅为2.45V，有效降低了导通损耗。模块内置NTC热敏电阻，支持-40°C至150°C的宽结温工作范围，并采用底座安装方式，便于散热管理。这些特性使其成为中小功率工业变频、伺服驱动及新能源发电系统中实现高效、紧凑功率转换的理想解决方案。
- 型号:A1P35S12M3-F
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:ACEPACK 1
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
- 描述:IGBT MODULE 1200V 35A ACEPACK 1
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 配置:三相反相器
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:35 A
- 功率 - 最大值:250 W
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.45V @ 15V，35A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:100 A
- 不同Vce 时输入电容 (Cies):2.154 nF @ 25 V
- 输入:标准
- NTC 热敏电阻:是
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:模块
- 供应商器件封装:ACEPACK 1
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