A2C25S12M3-F技术参数详情：
A2C25S12M3-F是ST意法半导体推出的一款紧凑型IGBT功率模块，采用先进的沟槽型场截止技术，在1200V击穿电压和25A额定电流下，实现了低至2.45V的导通压降与197W的最大功耗，有效提升了能效与功率密度。
该模块高度集成，内部配置为完整的三相反相器桥路并包含制动单元，同时集成了用于温度监控的NTC热敏电阻。其宽结温工作范围（-40°C至150°C）与模块化封装，使其成为工业电机驱动、变频器及伺服系统等应用中追求高可靠性、高集成度解决方案的理想功率开关器件。
- 型号:A2C25S12M3-F
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:ACEPACK 2
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
- 描述:IGBT MODULE 1200V 25A ACEPACK 2
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 配置:三相反相器，带制动器
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:25 A
- 功率 - 最大值:197 W
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.45V @ 15V，25A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:100 A
- 不同Vce 时输入电容 (Cies):1.55 nF @ 25 V
- 输入:三相桥式整流器
- NTC 热敏电阻:是
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:模块
- 供应商器件封装:ACEPACK 2
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