BZW50-18技术参数详情：
BZW50-18是ST意法半导体BZW50系列中的一款单向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用齐纳原理工作，轴向R-6通孔封装。该器件为核心电压敏感电路提供高效的过压保护。
其核心性能参数定义了强大的保护能力：标称18V反向关断电压，最小20V击穿电压，并能在承受高达1446A（8/20s）的峰值脉冲电流时，将电压箝位在最大值41.5V以内，峰值脉冲功率处理能力达5kW。这些特性使其成为保护24V及以下直流电源线路和通用接口，抵御雷击、感性开关等引起的瞬态浪涌的理想选择。
- 型号:BZW50-18
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:R-6
- 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
- 描述:TVS DIODE 18VWM 41.5VC R6
- 包装:剪切带（CT）
- 产品状态:停产
- 类型:齐纳
- 单向通道:1
- 双向通道:-
- 电压 - 反向断态（典型值）:18V
- 电压 - 击穿（最小值）:20V
- 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:41.5V
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):1446A（1.446kA）（8/20s）
- 功率 - 峰值脉冲:5000W（5kW）
- 电源线路保护:无
- 应用:通用
- 不同频率时电容:11500pF @ 1MHz
- 工作温度:-
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:R-6，轴向
- 供应商器件封装:R-6
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