BZW50-82技术参数详情：
BZW50-82是ST意法半导体生产的一款高性能单向瞬态电压抑制（TVS）二极管，属于TRANSIL系列。该器件设计用于箝制危险的电压瞬变，其核心参数包括82V的反向断态电压、91V的最小击穿电压以及最高189V的箝位电压，为工作于类似电压等级的电路提供了清晰的保护阈值。
该器件的突出优势在于其强大的浪涌处理能力，能够承受高达317A的峰值脉冲电流，并耗散5000W的峰值脉冲功率，使其能够有效应对严苛的过压事件，如雷击浪涌或负载突降。其通孔轴向封装（R-6）确保了安装的稳固性和散热效能。这些特性使其成为保护工业电源、通信端口及通用电子设备中敏感元件免受瞬态过压损坏的可靠选择。
- 型号:BZW50-82
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:R-6
- 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
- 描述:TVS DIODE 82VWM 189VC R6
- 包装:剪切带（CT）
- 产品状态:停产
- 类型:齐纳
- 单向通道:1
- 双向通道:-
- 电压 - 反向断态（典型值）:82V
- 电压 - 击穿（最小值）:91V
- 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:189V
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):317A（8/20s）
- 功率 - 峰值脉冲:5000W（5kW）
- 电源线路保护:无
- 应用:通用
- 不同频率时电容:26000pF @ 1MHz
- 工作温度:-
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:R-6，轴向
- 供应商器件封装:R-6
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