DA112S1RL技术参数详情：
DA112S1RL是ST意法半导体生产的一款TVS二极管阵列，采用紧凑的8-SOIC表面贴装封装。该器件集成了六个独立的单向保护通道，其反向断态电压典型值为15V，专为多路信号线的瞬态电压抑制设计。
其核心价值在于为通用型应用提供高密度的电路保护解决方案，能够有效抵御ESD等过压事件。器件支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，确保了在苛刻环境下的可靠性，适用于需要 robust 保护设计的工业、消费及车载电子系统。
- 型号:DA112S1RL
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
- 描述:TVS DIODE 15VWM 8-SOIC
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 类型:转向装置（轨至轨）
- 单向通道:6
- 双向通道:-
- 电压 - 反向断态（典型值）:15V
- 电压 - 击穿（最小值）:-
- 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:-
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):-
- 功率 - 峰值脉冲:-
- 电源线路保护:无
- 应用:通用
- 不同频率时电容:-
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SOIC
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