E-L6569D技术参数详情：
E-L6569D是ST意法半导体生产的一款半桥栅极驱动器集成电路，采用8-SOIC封装。该器件设计用于同步驱动两个N沟道MOSFET或IGBT，构成半桥功率级，其高压侧可承受最高600V的电压，并集成了自举二极管以简化高侧供电设计。
它提供170mA（灌入）和270mA（拉出）的峰值输出电流，能够有效控制功率开关的开关速度。其工作电源电压范围为10V至16.6V，并具备宽泛的结温工作范围（-40°C至150°C），确保了在工业级应用环境中的鲁棒性。其输入采用RC电路，增强了抗噪声干扰能力。
- 型号:E-L6569D
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:半桥
- 通道类型:同步
- 驱动器数:2
- 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
- 电压 - 供电:10V ~ 16.6V
- 逻辑电压- VIL，VIH:-
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:170mA，270mA
- 输入类型:RC 输入电路
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
- 上升/下降时间（典型值）:-
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SOIC
- 现在可以订购E-L6569D，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
