ESDA6V1S3技术参数详情:
ESDA6V1S3是ST意法半导体生产的一款多通道TVS二极管阵列,属于ESDA (TRANSIL)系列。该器件采用齐纳技术,集成18个单向保护通道于20-SOIC封装内,为核心电压约为5.25V的信号线路提供紧凑的ESD和瞬态过压保护。
其核心参数包括5.25V的典型反向关态电压与6.1V的最小击穿电压,确保在正常工作时对信号影响极小,而在过压事件发生时能快速响应。器件具备200W的峰值脉冲功率处理能力,能够有效吸收并泄放高能瞬态脉冲,满足通用接口的防护需求。
- ST意法半导体公司完整型号:ESDA6V1S3
- 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
- 描述:TVS DIODE 5.25VWM 20SOIC
- 系列:ESDA, TRANSIL
- 类型:齐纳
- 单向通道:18
- 双向通道:-
- 电压 - 反向关态(典型值):5.25V
- 电压 - 击穿(最小值):6.1V
- 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:-
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000μs):-
- 功率 - 峰值脉冲:200W
- 电源线路保护:无
- 应用:通用
- 不同频率时的电容:-
- 工作温度:-
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:20-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
- 供应商器件封装:20-SO
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