ESDA6V1S3RL技术参数详情：
ESDA6V1S3RL是ST意法半导体推出的一款集成式TVS二极管阵列，采用20-SOIC封装，内部集成18路单向保护通道。该器件专为通用接口的瞬态电压抑制设计，其核心参数包括5.25V的反向工作电压和6.1V的最小击穿电压，使其成为保护3.3V/5V逻辑电平电路的理想选择。
该器件提供高达200W的峰值脉冲功率处理能力，能够有效吸收并箝位由静电放电或电气快速瞬变引起的过压尖峰。其单向齐纳二极管结构为每条信号线提供独立的保护路径，有助于在紧凑的空间内实现多线路的可靠防护，提升整体系统的电磁兼容性和可靠性。
- 型号:ESDA6V1S3RL
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:20-SO
- 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
- 描述:TVS DIODE 5.25VWM 20SO
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 类型:齐纳
- 单向通道:18
- 双向通道:-
- 电压 - 反向断态（典型值）:5.25V
- 电压 - 击穿（最小值）:6.1V
- 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:-
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):-
- 功率 - 峰值脉冲:200W
- 电源线路保护:无
- 应用:通用
- 不同频率时电容:-
- 工作温度:-
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:20-SOIC（0.295，7.50mm 宽）
- 供应商器件封装:20-SO
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