ESDARF01-1BM2技术参数详情：
ESDARF01-1BM2是ST意法半导体推出的一款专用于射频天线端口ESD保护的TVS二极管。其核心价值在于为高频信号路径提供近乎透明的保护，关键参数包括典型值100mV的低反向断态电压、最小值700mV的击穿电压，以及在1MHz下仅3pF的极低电容，确保了对通信信号影响的最小化。
该器件采用SOD-882微型封装和双向单通道设计，便于集成到空间紧凑的便携式无线设备中。其主要功能是快速箝位天线接口上的ESD瞬态脉冲，有效保护后级昂贵的射频集成电路（RFIC），如低噪声放大器（LNA）和功率放大器（PA），从而提升整个无线通信系统的可靠性与鲁棒性。
- 型号:ESDARF01-1BM2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:SOD-882
- 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
- 描述:TVS DIODE 100VWMWM SOD882
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 类型:齐纳
- 单向通道:-
- 双向通道:1
- 电压 - 反向断态（典型值）:100mV
- 电压 - 击穿（最小值）:700mV
- 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:-
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):-
- 功率 - 峰值脉冲:-
- 电源线路保护:无
- 应用:RF 天线
- 不同频率时电容:3pF @ 1MHz
- 工作温度:-
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:SOD-882
- 供应商器件封装:SOD-882
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