ESM2012DV技术参数详情：
ESM2012DV是ST意法半导体生产的一款大功率NPN达林顿晶体管，采用ISOTOP底座安装封装。该器件核心优势在于其卓越的大电流处理能力，集电极电流最高可达120A，并具备120V的集射极击穿电压，适用于高电压、大功率的开关与放大电路。
其设计着重于降低导通损耗与简化驱动。在100A的大电流下，饱和压降典型值仅为1.5V，有效减少了导通状态下的功率耗散。同时，其极高的直流电流增益（最小值1200 @ 100A, 5V）意味着仅需极小的基极驱动电流即可实现对大负载的精确控制，显著简化了前级驱动电路的设计。结合175W的最大功耗和150°C的工作结温，ESM2012DV为严苛的工业功率应用提供了高可靠性的解决方案。
- 型号:ESM2012DV
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:ISOTOP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
- 描述:TRANS NPN DARL 120V 120A ISOTOP
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:120 A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:120 V
- 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:1.5V @ 1A，100A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:-
- 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:1200 @ 100A，5V
- 功率 - 最大值:175 W
- 频率 - 跃迁:-
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:ISOTOP
- 供应商器件封装:ISOTOP
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