ESM5045DV技术参数详情：
ESM5045DV是ST意法半导体生产的一款NPN达林顿功率晶体管，采用ISOTOP底座安装封装。该器件集成了高电压与大电流处理能力，其集电极-发射极击穿电压达450V，最大集电极电流为60A，最大功耗为175W，适用于严苛的工业功率环境。
其核心优势在于达林顿结构带来的高电流增益，在50A、5V条件下hFE最小值达150，能以较小的基极电流驱动大负载。同时，在50A集电极电流下的饱和压降仅为1.4V，有效降低了导通损耗。这些参数使其成为开关电源、电机驱动和大电流线性放大电路中高效、可靠的功率开关解决方案。
- 型号:ESM5045DV
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:ISOTOP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
- 描述:TRANS NPN DARL 450V 60A ISOTOP
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:450 V
- 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:1.4V @ 2.8A，50A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:-
- 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:150 @ 50A，5V
- 功率 - 最大值:175 W
- 频率 - 跃迁:-
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:ISOTOP
- 供应商器件封装:ISOTOP
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