IRF730技术参数详情：
IRF730是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装，属于其PowerMESH II技术系列。该器件核心规格包括400V的漏源电压(Vdss)和5.5A的连续漏极电流(Id)，为高压开关应用提供了坚实的基础。
其关键电气特性表现为较低的导通电阻（典型1Ω @ 10V, 3A）与适中的栅极电荷（最大24nC @ 10V），这共同贡献了较低的导通损耗与可管理的开关损耗，有利于提升整体能效。器件设计支持高达100W的功率耗散，最高结温为150°C，确保了在要求严苛的功率应用中的可靠运行。
- 型号:IRF730
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:400 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1 欧姆 @ 3A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:530 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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