IRF830技术参数详情：
IRF830是ST意法半导体PowerMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用标准的TO-220AB通孔封装。该器件核心特性在于其500V的漏源电压(Vdss)和4.5A的连续漏极电流(Id)能力，适用于中高压、中功率的开关应用。
其技术亮点包括在10V驱动下仅1.5欧姆的导通电阻，以及最大30nC的低栅极电荷，这有助于降低导通损耗并提升开关速度。器件支持高达150°C的结温工作，最大功耗为100W，具备良好的热性能。这些参数使其成为开关电源、电机控制等设计中可靠的功率开关选择。
- 型号:IRF830
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.7A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:610 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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