L6221AD013TR技术参数详情：
L6221AD013TR是ST意法半导体生产的一款四通道NPN达林顿晶体管阵列，采用20-SOIC表面贴装封装。该器件集成了四个独立的达林顿对，每个通道具备高达50V的集射极击穿电压和1.8A的集电极电流处理能力，饱和压降最大值为1.6V @ 1.8A，有效降低了驱动大电流负载时的导通损耗。
其设计集成了输入基极电阻和输出续流保护二极管，极大简化了外部电路，实现了与微控制器等数字逻辑电平的直接接口。该芯片适用于宽温工作环境（-40°C ~ 150°C TJ），主要面向需要紧凑、可靠的多路中功率开关驱动应用，如继电器、螺线管、直流电机及指示灯阵列的驱动。
- 型号:L6221AD013TR
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:20-SO
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 双极晶体管阵列
- 描述:TRANS 4NPN DARL 50V 1.8A 20-SO
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 晶体管类型:4 NPN 达林顿（双）
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:1.8A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V
- 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:1.6V @ 1.8A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:-
- 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:-
- 功率 - 最大值:1W
- 频率 - 跃迁:-
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:20-SOIC（0.295，7.50mm 宽）
- 供应商器件封装:20-SO
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