L6385D013TR技术参数详情：
L6385D013TR是ST意法半导体生产的一款高压半桥栅极驱动器IC，采用8-SOIC表面贴装封装。该器件集成了两个独立通道，可分别驱动半桥结构中的高侧与低侧IGBT或N沟道MOSFET，其高侧驱动部分可承受高达600V的浮动电压，并具备快速的开关性能（典型上升/下降时间为50ns/30ns）。
其核心优势在于强大的驱动能力，峰值拉电流和灌电流分别达到650mA和400mA，可直接驱动功率开关管，简化了外围电路设计。器件工作电压最高17V，逻辑输入兼容标准PWM信号，并具备欠压锁定保护功能，工作结温范围宽达-40°C至150°C，确保了在工业级应用中的鲁棒性与可靠性。
- 型号:L6385D013TR
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:半桥
- 通道类型:独立式
- 驱动器数:2
- 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
- 电压 - 供电:17V（最大）
- 逻辑电压- VIL，VIH:1.5V，3.6V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
- 输入类型:反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
- 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SOIC
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