L6389EDTR技术参数详情：
L6389EDTR是STMicroelectronics推出的一款有源半桥栅极驱动器IC，属于电源管理IC产品线。该器件采用卷带包装，具备两个独立驱动通道，专为驱动IGBT及N沟道、P沟道MOSFET而优化，适用于半桥功率拓扑结构。
其核心优势在于高达600V的高压侧耐压能力与强大的驱动性能，峰值拉电流和灌电流分别达到650mA和400mA，配合70ns和40ns的典型开关速度，可显著降低开关损耗。器件支持1.1V至1.8V的逻辑输入阈值，工作结温范围宽达-45°C至125°C，确保了在严苛工业环境下的稳定性和噪声免疫力。
- 型号:L6389EDTR
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE HI/LO
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:半桥
- 通道类型:独立式
- 驱动器数:2
- 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道，P 沟道）
- 电压 - 供电:17V（最大）
- 逻辑电压- VIL，VIH:1.1V，1.8V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
- 输入类型:反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
- 上升/下降时间（典型值）:70ns，40ns
- 工作温度:-45°C ~ 125°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SOIC
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