L6391D技术参数详情：
L6391D是ST意法半导体生产的一款有源半桥栅极驱动器IC，采用14-SOIC表面贴装封装。该器件集成两个独立通道，专为驱动IGBT和N沟道MOSFET设计，其高压侧可承受高达600V的浮动电压，并具备12.5V至20V的宽范围驱动供电电压。
其核心优势在于优异的开关性能与驱动能力。器件提供高达430mA（拉电流）和290mA（灌电流）的峰值输出电流，结合极短的典型上升/下降时间（75ns/35ns），可确保功率开关管的快速导通与关断，从而有效降低开关损耗。其输入逻辑阈值（VIL=1.1V， VIH=1.9V）易于与常见低压控制器接口，非反相逻辑简化了控制。宽广的-40°C至150°C工作结温范围，使其能够满足工业级应用的可靠性要求。
- 型号:L6391D
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:14-SO
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:半桥
- 通道类型:独立式
- 驱动器数:2
- 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
- 电压 - 供电:12.5V ~ 20V
- 逻辑电压- VIL，VIH:1.1V，1.9V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，430mA
- 输入类型:非反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
- 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:14-SO
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