L6392DTR技术参数详情：
L6392DTR是ST意法半导体生产的一款有源半桥栅极驱动器IC，采用14-SOIC表面贴装封装。该器件设计用于驱动IGBT和N沟道MOSFET，其高压侧可承受高达600V的电压，并集成了自举二极管功能，简化了高压侧供电设计。
该驱动器提供12.5V至20V的宽供电范围，兼容标准逻辑输入。其具备优异的动态性能，典型上升/下降时间分别为75ns和35ns，以及高达430mA（拉）和290mA（灌）的峰值输出电流，确保了功率开关的快速、可靠切换。其工作温度范围为-40°C至125°C，适用于要求严苛的工业与汽车应用环境。
- 型号:L6392DTR
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:14-SO
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:半桥
- 通道类型:独立式
- 驱动器数:2
- 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
- 电压 - 供电:12.5V ~ 20V
- 逻辑电压- VIL，VIH:1.1V，1.9V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，430mA
- 输入类型:非反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
- 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns
- 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:14-SO
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