L6395D技术参数详情：
L6395D是ST意法半导体生产的一款有源、半桥配置的栅极驱动器IC，属于电源管理IC产品线。该器件采用8-SOIC表面贴装封装，设计用于驱动IGBT和N沟道MOSFET，其高压侧可承受最高600V的电压，并集成了自举功能，简化了高压驱动设计。
它提供两个独立通道，具备强劲的峰值驱动能力（拉电流430mA，灌电流290mA）与快速的开关速度（典型上升/下降时间为75ns和35ns），能有效优化功率开关管的性能。其逻辑输入阈值低（VIL=1.1V， VIH=1.9V），兼容性强，工作电压范围10V~20V，且能在-40°C至150°C的宽结温范围内稳定工作，适用于要求高可靠性的工业环境。
- 型号:L6395D
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:半桥
- 通道类型:独立式
- 驱动器数:2
- 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
- 电压 - 供电:10V ~ 20V
- 逻辑电压- VIL，VIH:1.1V，1.9V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，430mA
- 输入类型:非反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
- 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SOIC
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