L6494LTR技术参数详情：
L6494LTR是ST意法半导体推出的一款有源半桥栅极驱动器IC，采用卷带包装的14-SOIC表面贴装封装。该器件设计用于独立驱动两个通道，兼容IGBT和N沟道MOSFET，其高压侧支持最高500V的自举电压，为高压应用提供了便利的驱动方案。
该驱动器具备优异的开关性能，其峰值输出电流达2.5A（拉出）和2A（灌入），结合仅25ns的典型上升/下降时间，可实现功率器件的快速开关，有效降低开关损耗。其10V至20V的宽供电电压范围、兼容CMOS/TTL的输入逻辑以及-40°C至125°C的宽工作结温范围，共同确保了其在各种工业电源管理应用中的可靠性与适应性。
- 制造商产品型号：L6494LTR
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
- 产品系列：电源管理IC - 栅极驱动器
- 包装：卷带（TR）
- 系列：-
- 零件状态：有源
- 驱动配置：半桥
- 通道类型：独立式
- 驱动器数：2
- 栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET
- 电压-供电：10V ~ 20V
- 逻辑电压-VIL，VIH：1.45V，2V
- 电流-峰值输出（灌入，拉出）：2A，2.5A
- 输入类型：CMOS/TTL
- 高压侧电压-最大值（自举）：500V
- 上升/下降时间（典型值）：25ns，25ns
- 工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 产品封装：14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
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