L6571A技术参数详情：
L6571A是ST意法半导体生产的一款高压半桥栅极驱动器集成电路，采用8引脚MiniDIP通孔封装。该器件集成了两个同步驱动通道，专为驱动半桥结构中的IGBT和N沟道MOSFET设计，其高压侧可承受最高600V的浮地电压，适用于离线电源等高压环境。
驱动器具备170mA（灌入）和270mA（拉出）的峰值输出电流能力，工作电压范围为10V至16.6V，并能在-40°C至150°C的结温范围内稳定工作。其核心特点包括采用RC输入电路以简化PWM信号接口，并内置了可通过外部电阻调节的死区时间控制功能，有效防止桥臂直通，提升系统可靠性。该器件通过集成自举二极管和电平移位电路，极大简化了高侧驱动的电源设计。
- 型号:L6571A
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-迷你型 DIP
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDG 8MINIDIP
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:半桥
- 通道类型:同步
- 驱动器数:2
- 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
- 电压 - 供电:10V ~ 16.6V
- 逻辑电压- VIL，VIH:-
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:170mA，270mA
- 输入类型:RC 输入电路
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
- 上升/下降时间（典型值）:-
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:8-DIP（0.300，7.62mm）
- 供应商器件封装:8-迷你型 DIP
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