L6747ATR技术参数详情：
L6747ATR是ST意法半导体的一款有源半桥栅极驱动器IC，属于电源管理IC产品线。该器件采用8-VFDFN表面贴装封装，提供两个同步驱动通道，专为驱动N沟道MOSFET而设计。
其核心优势在于3.5A的强劲峰值灌电流输出能力，配合5V至12V的宽供电电压范围以及高达41V的自举电压，确保了功率开关快速、可靠的切换。器件逻辑输入兼容标准电平，工作温度范围达0°C至125°C（TJ），适用于要求高效率和高可靠性的功率转换与电机控制应用。
- 制造商产品型号：L6747ATR
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8VFDFPN
- 产品系列：电源管理IC - 栅极驱动器
- 包装：卷带（TR）,剪切带（CT）
- 系列：-
- 零件状态：有源
- 驱动配置：半桥
- 通道类型：同步
- 驱动器数：2
- 栅极类型：N 沟道 MOSFET
- 电压-供电：5V ~ 12V
- 逻辑电压-VIL，VIH：0.8V，2V
- 电流-峰值输出（灌入，拉出）：3.5A，-
- 输入类型：反相
- 高压侧电压-最大值（自举）：41V
- 上升/下降时间（典型值）：-
- 工作温度：0°C ~ 125°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 产品封装：8-VFDFN
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