L6747C技术参数详情：
L6747C是ST意法半导体的一款半桥栅极驱动器IC，采用8-VFDFN表面贴装封装。该器件集成了两个同步驱动器，专为驱动N沟道MOSFET设计，其非反相输入逻辑简化了接口，逻辑阈值兼容性强。
其核心优势在于高达3.5A的峰值灌电流驱动能力，可显著优化MOSFET的开关速度与效率。器件支持5V至12V宽范围供电，高端驱动通过自举电路可工作于最高41V电压下，工作结温范围达0°C至125°C，适用于对空间和可靠性要求较高的工业与通信电源应用。
- 型号:L6747C
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-VFDFPN（3x3）
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8VFDFPN
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:半桥
- 通道类型:同步
- 驱动器数:2
- 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
- 电压 - 供电:5V ~ 12V
- 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，2V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3.5A，-
- 输入类型:非反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:41 V
- 上升/下降时间（典型值）:-
- 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-VDFN 焊盘
- 供应商器件封装:8-VFDFPN（3x3）
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