L6747CTR技术参数详情：
L6747CTR是ST意法半导体生产的一款半桥栅极驱动器IC，属于电源管理IC产品线。该器件采用8-VFDFN表面贴装封装，集成两个同步驱动器，专用于驱动N沟道MOSFET。
其核心特性包括高达3.5A的峰值灌电流输出，可确保功率开关管的快速关断；工作电压范围宽达5V至12V，高压侧支持最大41V自举电压；逻辑输入兼容标准PWM信号，具备良好的噪声抑制能力。这些参数共同构成了其高效、可靠的驱动解决方案基础，适用于各类开关电源和电机控制应用。
- 型号:L6747CTR
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-VFDFPN（3x3）
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8VFDFPN
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:半桥
- 通道类型:同步
- 驱动器数:2
- 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
- 电压 - 供电:5V ~ 12V
- 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，2V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3.5A，-
- 输入类型:非反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:41 V
- 上升/下降时间（典型值）:-
- 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-VDFN 焊盘
- 供应商器件封装:8-VFDFPN（3x3）
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