L9856-TR-LF技术参数详情：
L9856-TR-LF是ST意法半导体推出的一款单通道高端栅极驱动器IC，采用8-SOIC表面贴装封装。该器件专为驱动N沟道MOSFET设计，其核心优势在于高达150V的自举工作电压和±500mA的强健峰值输出电流，结合100ns的典型开关速度，能够显著降低功率开关管的开关损耗并提升系统效率。
该器件工作电压范围为4.4V至6.5V，兼容标准逻辑电平，并具备反相输入控制。其宽结温工作范围（-55°C至150°C）确保了在工业及汽车等恶劣环境下的高可靠性。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和各类高侧开关应用的理想驱动解决方案。
- 型号:L9856-TR-LF
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:高端
- 通道类型:单路
- 驱动器数:1
- 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
- 电压 - 供电:4.4V ~ 6.5V
- 逻辑电压- VIL，VIH:-
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:500mA，500mA
- 输入类型:反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:150 V
- 上升/下降时间（典型值）:100ns，100ns
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SOIC
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