L9856-TR技术参数详情：
L9856-TR是ST意法半导体推出的一款有源、单通道、高端栅极驱动器IC，属于电源管理IC产品线。该器件采用8-SOIC卷带包装，专为驱动N沟道MOSFET而设计，其核心优势在于支持高达150V的自举电压，并能在4.4V至6.5V的宽电源电压下稳定工作。
该驱动器提供对称的500mA峰值输出电流（拉电流和灌电流），结合100ns的典型开关速度，能够实现功率MOSFET的高效、快速切换，有效降低开关损耗。其反相输入逻辑接口易于连接，且工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在恶劣环境下的高可靠性，是工业控制、汽车电子及高效电源系统中高压侧开关驱动的理想选择。
- 制造商产品型号：L9856-TR
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO
- 产品系列：电源管理IC - 栅极驱动器
- 包装：卷带（TR）
- 系列：-
- 零件状态：有源
- 驱动配置：高端
- 通道类型：单路
- 驱动器数：1
- 栅极类型：N 沟道 MOSFET
- 电压-供电：4.4V ~ 6.5V
- 逻辑电压-VIL，VIH：-
- 电流-峰值输出（灌入，拉出）：500mA，500mA
- 输入类型：反相
- 高压侧电压-最大值（自举）：150V
- 上升/下降时间（典型值）：100ns，100ns
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 产品封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
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