LET9045S技术参数详情：
LET9045S是ST意法半导体推出的一款N沟道LDMOS射频功率晶体管，专为高频高功率放大应用而设计。该器件在28V工作电压、960MHz频率下，可提供高达59W的输出功率和17.5dB的增益，具备出色的功率处理能力和信号放大效率。
其80V的额定电压和9A的额定电流确保了高动态范围下的工作可靠性。采用PowerSO-10RF封装（带裸露焊盘和直引线），优化了高频性能与散热管理，适用于要求严苛的射频功率放大场景。
- 型号:LET9045S
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerSO-10RF（直引线）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:960MHz
- 增益:17.5dB
- 电压 - 测试:28 V
- 额定电流（安培）:9A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:300 mA
- 功率 - 输出:59W
- 电压 - 额定:80 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直引线）
- 供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）
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