LET9045STR技术参数详情:
LET9045STR是ST意法半导体生产的一款有源射频LDMOS功率晶体管,采用PowerSO-10RF封装。该器件在28V工作电压及960MHz频率下,可提供高达45W的输出功率,并具备18.5dB的典型增益,为高功率射频放大应用提供了高效的解决方案。
其核心优势在于高功率密度与良好的热管理能力,裸露的底部焊盘封装确保了优异的热性能。80V的高额定电压提供了强大的过压承受能力,增强了系统在复杂工况下的可靠性。该器件专为基站、无线基础设施及其他专业射频系统设计,是实现紧凑、高效功率放大级的关键组件。
- 制造商产品型号:LET9045STR
- 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
- 描述:RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 零件状态:有源
- 晶体管类型:LDMOS
- 频率:960MHz
- 增益:18.5dB
- 电压-测试:28V
- 额定电流(安培):1A
- 噪声系数:-
- 电流-测试:300mA
- 功率-输出:45W
- 电压-额定:80V
- 封装:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条直引线)
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