LET9060技术参数详情：
LET9060是ST意法半导体生产的一款N沟道射频功率LDMOS晶体管，封装为PowerSO-10RF。该器件针对高频高功率应用优化，在960MHz工作频率下，可提供高达60W的射频输出功率和17.2dB的功率增益，具备出色的信号放大能力。
其电气参数坚实可靠，支持28V测试电压和80V额定电压，最大额定电流达12A，展现了强大的功率处理潜力。独特的封装设计带有裸露焊盘，显著提升了散热效率，确保了大功率运行时的稳定性。这款芯片是构建UHF频段高功率射频放大链路的理想选择。
- 型号:LET9060
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerSO-10RF（成形引线）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:960MHz
- 增益:17.2dB
- 电压 - 测试:28 V
- 额定电流（安培）:12A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:300 mA
- 功率 - 输出:60W
- 电压 - 额定:80 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
- 供应商器件封装:PowerSO-10RF（成形引线）
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