LET9060C技术参数详情：
LET9060C是ST意法半导体生产的一款N沟道LDMOS射频功率晶体管，采用M-243封装。该器件设计用于945MHz高频应用，能够提供高达75W的输出功率，同时具备18dB的高功率增益，确保了高效的信号放大能力。
其核心电气参数包括80V的额定漏源电压和12A的最大连续漏极电流，在28V/400mA的典型测试条件下表现出稳定的性能。这些特性使其成为要求高功率密度和可靠性的专业射频放大电路的理想选择，尤其适用于基站及广播发射等固定安装设备。
- 型号:LET9060C
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:M243
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 28V M243
- 系列:-
- 包装:盒
- 产品状态:停产
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:945MHz
- 增益:18dB
- 电压 - 测试:28 V
- 额定电流（安培）:12A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:400 mA
- 功率 - 输出:75W
- 电压 - 额定:80 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:M243
- 供应商器件封装:M243
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