M48Z58Y-70MH1E技术参数详情：
M48Z58Y-70MH1E是STMicroelectronics生产的一款64Kb容量非易失性静态随机存储器（NVSRAM）。该器件采用并联接口，组织架构为8K x 8位，核心特性在于将高速SRAM与嵌入式EPROM单元集成，实现了无需电池支持的数据永久保存功能。
其访问时间与写周期时间均为70ns，在4.5V至5.5V电压范围内工作，性能与标准SRAM相当。独特的28-SOP封装配备SNAPHAT插座，可外接储能元件，为电源故障时的数据传送提供额外保障。此芯片主要面向要求高速读写且断电后数据必须可靠保存的工业控制、网络通信及关键任务系统。
- 型号:M48Z58Y-70MH1E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:28-SOH
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28SOH
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:NVSRAM
- 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM）
- 存储容量:64Kb
- 存储器组织:8K x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:带 SNAPHAT 插座的 28-SOP（0.350，8.89mm 宽）
- 供应商器件封装:28-SOH
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