M58LW064D110N6技术参数详情：
M58LW064D110N6是ST意法半导体生产的一款64Mb并行NOR闪存，采用56-TSOP封装。其核心优势在于提供110ns的快速访问时间，支持字节（8M x 8）和字（4M x 16）两种可配置访问模式，能够有效提升处理器直接执行代码的效率。
该器件工作电压为2.7V至3.6V，兼容标准的3.3V系统，并具备-40°C至85°C的工业级工作温度范围，确保了在恶劣环境下的数据存储可靠性。它主要面向需要可靠非易失性存储、快速读取以及从闪存直接运行代码的嵌入式应用场景。
- 型号:M58LW064D110N6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:56-TSOP
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 56TSOP
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:64Mbit
- 存储器组织:8M x 8，4M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:110 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:56-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:56-TSOP
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