M59DR032EA10ZB6T技术参数详情：
M59DR032EA10ZB6T是STMicroelectronics生产的一款32Mb容量并行NOR闪存芯片，采用2M x 16位的组织结构。该器件基于非易失性存储技术，提供100ns的快速访问时间和字/页写入周期，其1.65V至2.2V的宽电压供电范围适合低功耗嵌入式应用。
芯片采用48引脚TFBGA表面贴装封装，工作温度范围为-40°C至85°C，满足工业环境要求。其并行接口设计便于与主流微控制器直接连接，主要适用于需要可靠存储启动代码、应用程序或配置数据的工业控制、通信及汽车电子等领域。
- 制造商产品型号：M59DR032EA10ZB6T
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TFBGA
- 产品系列：存储器
- 包装：卷带（TR）
- 系列：-
- 零件状态：停产
- 存储器类型：非易失
- 存储器格式：闪存
- 技术：FLASH - NOR
- 存储容量：32Mb（2M x 16）
- 存储器接口：并联
- 时钟频率：-
- 写周期时间-字，页：100ns
- 访问时间：100ns
- 电压-供电：1.65V ~ 2.2V
- 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：表面贴装型
- 产品封装：48-LFBGA
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