M68AW031AM70N6T技术参数详情：
M68AW031AM70N6T是ST意法半导体推出的一款256Kb（32K x 8）异步并行SRAM。该器件采用2.7V至3.6V单电源供电，提供70ns的标准访问时间与写周期时间，确保了在宽温（-40°C至85°C）工业环境下的高速可靠数据存取。
其并联接口设计简化了与处理器的连接，而28-TSSOP的表面贴装封装则优化了板级空间占用。这款存储器适用于需要快速、零等待状态外部数据缓冲或变量存储的各种嵌入式控制系统。
- 型号:M68AW031AM70N6T
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:28-TSOP
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:SRAM
- 技术:SRAM - 异步
- 存储容量:256Kb
- 存储器组织:32K x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:28-TSSOP（0.465，11.80mm 宽）
- 供应商器件封装:28-TSOP
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