M68AW512ML70ND6技术参数详情：
M68AW512ML70ND6是ST意法半导体生产的一款8Mb容量异步静态随机存取存储器。其核心组织架构为512K×16位，采用标准的并行接口，便于与各类微处理器直接连接。该器件提供70ns的快速访问时间，能够有效提升系统数据吞吐性能。
芯片工作电压范围为2.7V至3.6V，兼容广泛的3.3V逻辑系统，并支持-40°C至85°C的工业级工作温度。其采用44引脚TSOP II表面贴装封装，适用于对板卡空间有要求的嵌入式设计。这些特性使其成为工业控制、通信设备等领域中需要高速数据缓存和临时存储应用的可靠选择。
- 型号:M68AW512ML70ND6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:44-TSOP II
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:SRAM
- 技术:SRAM - 异步
- 存储容量:8Mb
- 存储器组织:512K x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:44-TSOP（0.400，10.16mm 宽）
- 供应商器件封装:44-TSOP II
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