MJD122T4

MJD122T4是ST意法半导体生产的一款NPN达林顿功率晶体管，采用表面贴装DPak（TO-252）封装。该器件集成了高击穿电压与大电流处理能力，其集电极-发射极电压（V_CEO）高达100V，连续集电极电流（I_C）可达8A，最大功耗为20W，适用于中高功率应用场景。

其核心优势在于极高的电流增益，在4A/4V条件下h_FE最小值达到1000，能够以极小的基极驱动电流控制大负载，显著简化驱动电路设计。同时，器件支持高达150°C的结温工作，并具备较低的饱和压降，有助于提升系统效率与可靠性，是电机驱动、电源开关及工业控制等领域的理想选择。

• 型号:MJD122T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 晶体管类型:NPN - 达林顿
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:8 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:100 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:4V @ 80mA，8A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:10A
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:1000 @ 4A，4V
• 功率 - 最大值:20 W
• 频率 - 跃迁:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 供应商器件封装:DPAK
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