NAND01GW3A0AN6E技术参数详情：
NAND01GW3A0AN6E是ST意法半导体推出的一款1Gb（128M x 8）并行接口NAND闪存芯片，采用48-TFSOP封装。该器件提供非易失性数据存储，页写入和访问时间典型值为30ns，可在2.7V至3.6V的宽电压范围和-40°C至85°C的工业级温度范围内稳定工作。
其核心特性在于采用成熟的并联闪存架构，通过标准异步接口实现高效的数据读写，适用于需要中等容量、可靠存储且对接口时序有直接控制需求的嵌入式系统设计。该芯片为表面贴装型，便于集成到空间受限的PCB布局中。
- 型号:NAND01GW3A0AN6E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:48-TSOP
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:128M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:30ns
- 访问时间:30 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP
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