NAND01GW3B2AN6E技术参数详情：
NAND01GW3B2AN6E是ST意法半导体推出的一款1Gb容量并行NAND闪存芯片，采用128M x 8位的存储结构。它提供了30ns的快速页写入和访问时间，并支持2.7V至3.6V的宽电压供电，兼容性良好。
该器件采用48-TSOP表面贴装封装，工作温度范围覆盖-40°C至85°C，满足工业级环境要求。其非易失性存储特性和并联接口使其成为嵌入式系统中用于数据存储、程序代码或固件保存的可靠解决方案。
- 型号:NAND01GW3B2AN6E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:48-TSOP
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:128M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:30ns
- 访问时间:30 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP
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