NAND256W4A0AN6E技术参数详情：
NAND256W4A0AN6E是ST意法半导体生产的一款256Mb容量并行接口NAND闪存存储器。该器件采用16M x 16位的组织架构，提供50ns的快速访问时间和页写入周期，支持2.7V至3.6V的宽电压供电，兼容性强。
其采用48引脚TSOP表面贴装封装，工作温度覆盖-40°C至85°C的工业级范围，确保了在苛刻环境下的可靠性。该芯片适用于需要中等容量、稳定非易失存储的各类嵌入式系统，如工业控制、网络通信和消费电子设备。
- 型号:NAND256W4A0AN6E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:48-TSOP
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 256MBIT PARALLEL 48TSOP
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:256Mb
- 存储器组织:16M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:50ns
- 访问时间:50 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP
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