NAND512R3A3AZA6E技术参数详情：
NAND512R3A3AZA6E是ST意法半导体生产的一款512Mb容量NAND闪存芯片，采用55-TFBGA封装和并行接口。其核心卖点在于64M x 8位的存储组织和60ns的页写/访问时间，提供了高效的数据读写性能。
该器件工作电压范围为1.7V至1.95V，支持-40°C至85°C的工业级工作温度，具备良好的功耗控制与环境适应性，适用于对可靠性和空间有要求的表面贴装应用。
- 制造商产品型号：NAND512R3A3AZA6E
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：IC FLSH 512MBIT PARALLEL 55VFBGA
- 产品系列：存储器
- 包装：托盘
- 系列：-
- 零件状态：停产
- 存储器类型：非易失
- 存储器格式：闪存
- 技术：闪存 - NAND
- 存储容量：512Mb（64M x 8）
- 存储器接口：并联
- 时钟频率：-
- 写周期时间-字，页：60ns
- 访问时间：60ns
- 电压-供电：1.7V ~ 1.95V
- 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：表面贴装型
- 产品封装：55-TFBGA
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