NAND512W3A0AV6E技术参数详情：
NAND512W3A0AV6E 是ST意法半导体生产的一款512Mb容量并行接口NAND闪存芯片，采用48引脚UFSOP封装。该器件组织为64M x 8位，提供50ns的页写入时间和访问时间，并在2.7V至3.6V电压范围内工作，兼容标准的3.3V系统。
其设计支持宽工作温度范围（-40°C至85°C），满足工业环境应用要求。作为一款已停产的器件，它代表了特定时期的并行NAND闪存解决方案，适用于需要直接接口控制的中等密度数据存储场景。
- 型号:NAND512W3A0AV6E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:48-WSOP（12x17）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48WSOP
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:64M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:50ns
- 访问时间:50 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-UFSOP（0.606，15.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-WSOP（12x17）
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