NAND512W3A2BZA6E技术参数详情：
NAND512W3A2BZA6E是ST意法半导体生产的一款512Mb容量并行接口NAND闪存。该器件采用64M x 8位的架构，提供50ns的快速访问时间和页写入周期，能够满足对数据吞吐有要求的嵌入式应用。
其工作电压范围为2.7V至3.6V，并支持-40°C至85°C的工业级工作温度，确保了在恶劣环境下的稳定运行。芯片采用63-VFBGA紧凑型封装，适用于空间受限的表面贴装设计，主要面向工业控制、汽车电子及网络通信设备等需要可靠非易失性存储的领域。
- 型号:NAND512W3A2BZA6E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:63-VFBGA（8.5x15）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 512MBIT PAR 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:64M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:50ns
- 访问时间:50 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（8.5x15）
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