PD20010TR-E技术参数详情：
PD20010TR-E是ST意法半导体生产的一款有源N沟道射频功率LDMOS晶体管，属于晶体管-FET，MOSFET-射频系列。该器件采用PowerSO-10RF封装，具备裸露底部焊盘，优化了热管理性能。
其核心电气特性包括：在2GHz频率下可实现10W的射频功率输出，并提供11dB的功率增益，工作于13.6V典型电压。器件额定电压为40V，连续漏极电流为5A，在150mA测试电流下进行特性表征。这些参数共同定义了其在射频功率放大应用中的高效率和可靠性。
- 型号:PD20010TR-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerSO-10RF（成形引线）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:2GHz
- 增益:11dB
- 电压 - 测试:13.6 V
- 额定电流（安培）:5A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:150 mA
- 功率 - 输出:10W
- 电压 - 额定:40 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
- 供应商器件封装:PowerSO-10RF（成形引线）
- 现在可以订购PD20010TR-E，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
